BSC340N08NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC340N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC12DN20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC340N08NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) OptiMOS power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A 11.3 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Product Family — OptiMOS 200V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Configuration — Single N-channel
پن کی تعداد — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں