BSC340N08NS3GATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC340N08NS3GATMA1 tarafından Infineon ve ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC340N08NS3GATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W 83 W
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +175C (junction, typical)
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
RoHS Durumu — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin