BSC340N08NS3GATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC340N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC340N08NS3GATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W 83 W
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +175C (junction, typical)
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں