BSD235CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD235CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSD235CH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | -100 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| RoHS Durumu | Compliant (lead-free) | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Pin Sayısı | 6 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Paket | — | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Pin Sayısı | — | 3 + thermal tab |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |