BSD235CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSD235CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP316PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSD235CH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | -100 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| سطح MSL | 1 | 1 |
| تعداد پایه | 6 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| بسته‌بندی | — | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| تعداد پین‌ها | — | 3 + thermal tab |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |