BSL207SPH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL207SPH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL606SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL207SPH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS3 trench MOSFET
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Paket TSOP-6 (PG-TSOP6-6) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free plating)
Pin Sayısı 6 —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin