BSL316CH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL316CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS308PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL316CH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Paket PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET —
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Pin Sayısı 6 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Transistor Türü — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C
Paket / Kas — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Pin Sayısı — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin