BSL316CH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL316CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL316CH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
بسته‌بندی PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET —
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
تعداد پایه 6 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
نوع ترانزیستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
محدوده دمای کاری — -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
تعداد پین‌ها — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت