BSL316CH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL316CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL316CH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
پیکیج PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET —
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
پن کی تعداد 6 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C
پیکیج / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
پنز کی تعداد — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں