BSP149H6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP149H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS316NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP149H6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity N-Channel —
Mode of Operation Depletion Mode (normally ON) —
Drain-Source Voltage VDS 200 V —
Continuous Drain Current ID 660 mA (Ta) —
Power Dissipation PD 1.8 W (Ta) —
On-State Resistance RDS(on) 1 ohm (typ) —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C (Tj) —
Technology SIPMOS OptiMOS 2 (Trench)
Channel Count 1 —
Pin Sayısı 4 (G, D, S, tab) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Configuration Single —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin