BSR316PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP125H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSR316PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR316PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | P-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | -360 mA | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1800 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.7 V typical, -2.5 V max | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 500 mW | — |
| Paket | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Qualification | Automotive | Automotive / Industrial grade |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (Unlimited) |
| Polarity | P-Channel | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |