BSS127H6327XTSA2 vs BSD235CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSD235CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS127H6327XTSA2 BSD235CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) 500 mW
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 6
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin