BSS127H6327XTSA2 vs BSD235CH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS127H6327XTSA2 توسط Infineon و BSD235CH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS127H6327XTSA2 BSD235CH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) 500 mW
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 6
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
بدون هالوژن Yes, per IEC 61249-2-21 —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
محدوده دمای کاری — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت