BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS308PEH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Paket / Kas PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS Durumu Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape and Reel
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Paket — PG-SOT-23 (3-pin)
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Klorürsüz — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin