BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS138NH6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS308PEH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
پیکیج / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape and Reel
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
پیکیج — PG-SOT-23 (3-pin)
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
ہیلوجن فری — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں