BSZ0909NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0909NSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0909NSATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 25V OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 34 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 36 A —
R-DS(on) Max at VGS=10V 12 mOhm at ID=20A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V at ID=250 uA —
Total Gate Charge (Qg) 17 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 1.31 nF at VDS=15V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 25 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin