BSZ0909NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0909NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ0909NSATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 25V OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 34 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 36 A —
R-DS(on) Max at VGS=10V 12 mOhm at ID=20A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V at ID=250 uA —
Total Gate Charge (Qg) 17 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 1.31 nF at VDS=15V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 25 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
پن کی تعداد — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں