EP4CGX110DF31I7 vs EP4CGX110DF31C8N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CGX110DF31I7 tarafından Intel ve EP4CGX110DF31C8N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP4CGX110DF31I7 EP4CGX110DF31C8N
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Series Cyclone IV GX —
Device Logic Elements 109,424 —
Total Memory Bits 5,621,760 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) Not specified in provided data [DATA_NEEDED: LAB count] —
Number of I/O 475 user I/O —
Multipliers (18x18) 432 —
PLLs 4 4 general-purpose PLLs
Transceivers 8 (up to 3.125 Gbps) 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps
M9K Memory Blocks 270 —
Paket 896-BGA (FBGA-896), 31 mm 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm
Ball Pitch 0.8 mm —
Speed Grade -7 8
Temperature Grade Industrial (-40C to +100C Tj) —
Core Voltage 1.2 V typical —
Configuration Method SRAM (EPCS or JTAG) —
Montaj Türü Surface Mount —
MSL Seviyesi 3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: floor life days] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Family — Cyclone IV GX
Logic Elements — 109,424
Logic Array Blocks (LABs) — 6,839
Embedded Memory Bits — 5,621,760 (approximately 702 Kbits)
Embedded Memory Blocks — M9K blocks, 9-bit parity
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 264 multipliers
Maximum User I/Os — 475
I/O Banks — 8
PCI Express Hard IP — PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4
Core Supply Voltage — 1.2 V
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Operating Temperature (Commercial) — 0C to 85C
Configuration — SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin