EP4CGX110DF31I7 vs EP4CGX110DF31C8N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP4CGX110DF31I7 מאת Intel ו EP4CGX110DF31C8N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP4CGX110DF31I7 EP4CGX110DF31C8N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Series Cyclone IV GX —
Device Logic Elements 109,424 —
Total Memory Bits 5,621,760 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) Not specified in provided data [DATA_NEEDED: LAB count] —
Number of I/O 475 user I/O —
Multipliers (18x18) 432 —
PLLs 4 4 general-purpose PLLs
Transceivers 8 (up to 3.125 Gbps) 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps
M9K Memory Blocks 270 —
מארז 896-BGA (FBGA-896), 31 mm 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm
Ball Pitch 0.8 mm —
Speed Grade -7 8
Temperature Grade Industrial (-40C to +100C Tj) —
Core Voltage 1.2 V typical —
Configuration Method SRAM (EPCS or JTAG) —
סוג הרכבה Surface Mount —
רמת MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: floor life days] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Family — Cyclone IV GX
Logic Elements — 109,424
Logic Array Blocks (LABs) — 6,839
Embedded Memory Bits — 5,621,760 (approximately 702 Kbits)
Embedded Memory Blocks — M9K blocks, 9-bit parity
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 264 multipliers
Maximum User I/Os — 475
I/O Banks — 8
PCI Express Hard IP — PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4
Core Supply Voltage — 1.2 V
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Operating Temperature (Commercial) — 0C to 85C
Configuration — SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר