H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63CFR-H9J tarafından SK hynix ve K4B4G1646E-BMK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63CFR-H9J K4B4G1646E-BMK0
Marka SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) 1600 Mbps
Paket 96-ball TFBGA 96-FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Voltage — 1.35 V
İşletim Sıcaklığı — -40°C to +95°C
Arayüz — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Veri Hızı — 1600 Mbps
Montaj Türü — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin