H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-H9J توسط SK hynix و K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5TC4G63CFR-H9J K4B4G1646E-BMK0
برند SK hynix Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
سازمان 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) 1600 Mbps
بسته‌بندی 96-ball TFBGA 96-FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Voltage — 1.35 V
دمای کاری — -40°C to +95°C
رابط — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
نرخ داده — 1600 Mbps
نوع نصب — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت