H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-H9J توسط SK hynix و K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63CFR-H9J | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | 1600 Mbps |
| بستهبندی | 96-ball TFBGA | 96-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Voltage | — | 1.35 V |
| دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| رابط | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| نرخ داده | — | 1600 Mbps |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |