H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63CFR-H9J بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63CFR-H9J K4B4G1646E-BMK0
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) 1600 Mbps
پیکیج 96-ball TFBGA 96-FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Voltage — 1.35 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
انٹرفیس — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
ڈیٹا ریٹ — 1600 Mbps
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں