IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S6N009TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Paket PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
İşletim Sıcaklığı — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin