IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Paket / Kas | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |