IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N027GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| پیکیج / کیس | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |