IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Paket PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
Technology — OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin