IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
پیکیج PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
Technology — OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں