IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L033ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin