IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN08S7N024TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 7
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) —
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 165 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 157 W
Rds(on) Max at Vgs=10V — 2.44 mOhm
Paket / Kas — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²)
Cooling — Top-side cooled
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin