IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7L180ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single Quad Drain Triple Source
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Paket PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant EU RoHS Compliant with Exemption
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Number of Channels — 1
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 39 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 16.1 mΩ @ VGS=10 V
Typical RDS(on) — 18 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.6 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (±16 V per JLCPCB listing)
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Input Capacitance (Ciss) — 272 pF
Output Capacitance (Coss) — 668 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7 pF
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Channel Mode — Enhancement
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin