IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUS260N10S5N019TATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ18N10S5L420ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Paket PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 16 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 trench
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Configuration — Single with built-in diode
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin