IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUS260N10S5N019TATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZ18N10S5L420ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUS260N10S5N019TATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| پیکیج | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 16 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 trench |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| MSL لیول | — | 1 |