IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ18N10S5L420ATMA1 tarafından Infineon ve IAUS260N10S5N019TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 trench-gate
Configuration Single with built-in diode —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 —
Product Series — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Pin Sayısı — 16
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin