IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN08S7L177ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6N009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Paket PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
RoHS Durumu Compliant —
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin