IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN08S7L177ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUZN08S7L177ATMA1 | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 7 N-channel power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 35 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD) | 45 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 17.7 mΩ max | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (Tj, automotive grade) | — |
| Configuration | Single | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Lead-Free | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Family | Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 120 A |
| تيار التصريف النبضي | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Q_g typ | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Thermal Resistance R_thJC max | — | 1.0 K/W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per Infineon product page) |