IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZN08S7L177ATMA1 توسط Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
دمای کاری -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
وضعیت RoHS Compliant —
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت