IGD08N120S7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGD08N120S7ATMA1 tarafından Infineon ve BSC014NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IGD08N120S7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | IGBTs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -40C to +175C (industry grade) | -55 °C to +150 °C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Configuration | Single | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |