IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R190C6XKSA1 tarafından Infineon ve IPP60R190P6XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R190C6XKSA1 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | CoolMOS P6 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | Not applicable (through-hole) |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |