IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPA60R190C6XKSA1 מאת Infineon ו IPP60R190P6XKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPA60R190C6XKSA1 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | CoolMOS P6 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| מארז | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| רמת MSL | — | Not applicable (through-hole) |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |