IPA60R190C6XKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R190C6XKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R080P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R190C6XKSA1 | IPW60R080P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| Paket | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 37 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 129 W |
| RDS(on) (typ) | — | 69 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ, per datasheet family) |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf value] |
| Packaging | — | Tube (XKSA1 ordering suffix) |