IPA60R190C6XKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPA60R190C6XKSA1 توسط Infineon و IPW60R080P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPA60R190C6XKSA1 | IPW60R080P7XKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | CoolMOS P7 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| بسته‌بندی | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 37 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 129 W |
| RDS(on) (typ) | — | 69 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ, per datasheet family) |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf value] |
| Packaging | — | Tube (XKSA1 ordering suffix) |