IPA60R190C6XKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R080P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPA60R190C6XKSA1 IPW60R080P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS C6 CoolMOS P7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 34 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Tab Isolation Fully isolated (4 kV) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 37 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 129 W
RDS(on) (typ) — 69 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ, per datasheet family)
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf value]
Packaging — Tube (XKSA1 ordering suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں