IPB014N06NATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB014N06NATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB014N06NATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin