IPB014N06NATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB014N06NATMA1 מאת Infineon ו IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB014N06NATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $5.19
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
פיזור הספק (TC=25°C) — 227 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
רמת MSL — 1
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר