IPB014N06NATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB014N06NATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB014N06NATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $5.19
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 227 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں