IPB027N10N3GATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB027N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD046N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB027N10N3GATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS Durumu Compliant ROHS3 Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin