IPB110P06LMATMA1 vs IPD038N06N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPD038N06N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB110P06LMATMA1 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Paket | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |