IPB110P06LMATMA1 vs IPD038N06N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD038N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB110P06LMATMA1 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| پیکیج | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| MSL لیول | — | 1 |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |