IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından Infineon ve IPD50P04P4L11ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD50P04P4L11ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Transistor Türü | — | P-Channel MOSFET, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | -40 V |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | — | -50 A |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | — | 10.6 mΩ typical |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -2.5 V typical |
| Typical Gate Charge Qg | — | 45 nC |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | — | 58 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |