IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB120P04P4L03ATMA2 bằng Infineon và IPD50P04P4L11ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD50P04P4L11ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Kiểu transitor | — | P-Channel MOSFET, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | -40 V |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | — | -50 A |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | — | 10.6 mΩ typical |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -2.5 V typical |
| Typical Gate Charge Qg | — | 45 nC |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | — | 58 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |